Установка бесконтактной (безмасковой) лазерной литографии для подложек от 5 мм до 350 мм, с метрологией и диагностикой поверхности.
Модели серии LI компании SUSS MicroTec благодаря технологии лазерной обработки поверхности являются идеальным инструментом, отвечающим различным требованиям исследовательских и производственно-контрольных лабораторий. Установка безмасочной лазерной литографии представляет собой устройство для прямой передачи изображения от системы автоматизированного проектирования на подложку и может использоваться как универсальное средство для формирования рельефа.
Рисунок формируется путем точного перемещения мишени (шаблона или подложки) под сфокусированным сканирующим лучом лазера. В системе используется долговечный лазер из GaN с длиной волны 405 нм. В то же время, данное устройство можно использовать для контроля поверхности и измерений благодаря сочетанию ПЗС-камеры и системы освещения с высокоточным перемещением столика по осям XYZ.
Благодаря своей универсальности установка безмасочной фотолитографии может использоваться для решения целого ряда задач как в рамках исследовательских и производственно-контрольных лабораториях, так и при мелкосерийном производстве в таких областях, как микрофлюидика, дифракционная оптика, МЭМС, конформное микроструктурирование, интегральные СВЧ-микросхемы.
Запатентованная система автоматической фокусировки позволяет работать с подложками всех размеров, начиная от маленьких заготовок до полупроводниковых пластин размером 300 мм, обеспечивая формирование рисунка на всей поверхности до самого края. Лазерная система формирования изображения позволяет оптимально решать разнообразные задачи благодаря таким функциям как многоуровневая фокусировка луча и отслеживание неровностей поверхности. Кроме того, простой интерфейс на базе Windows и минимальные требования к обслуживанию позволяют использовать систему лазерной литографии в любой среде. Четыре режима формирования рельефа помогают подстроиться под любые требования к структурированию и производительности.
При структурировании сложных элементов устройство автоматической смены линз значительно улучшает производительность: автоматическое переключение между набором фокусирующих линз позволяет выбрать разрешение для рисунка. Выбор линзы занимает несколько секунд, механизм аналогичен стандартной револьверной головке микроскопа. Благодаря самым низким эксплуатационным расходам среди моделей этого класса, а также исключительной прочности и надежности эта система станет необходимым дополнением для любой лаборатории.
Стандартная конфигурация: твердотельный GaN лазер с длиной волны 405 нм
*акустооптическая модуляция
Дополнительные источники лазерного излучения:
Фокусирующие линзы встроены в базовую систему
Оптический автофокус запатентованной конструкции
Устройство автоматической замены линз
Литография в серой шкале
Высокоточная диагностика и контроль поверхности
Возможность выбирать режим формирования рисунка в зависимости от сложности элементов является чрезвычайно важной для улучшения производительности системы. Кроме того, лазерная система формирования изображений с запатентованным ПО LaserDraw позволяет автоматически выбирать и переключать различные режимы в рамках одного процесса.
В режиме сканирования с помощью луча рисунок делится на полосы, которые записываются с помощью растрового сканирования. Луч модулируемого лазера равномерно перемещается над подложкой в направлении перпендикулярном длине полосы, пока подложка движется вдоль полосы.
В режиме сканирования с помощью столика для получения растра столик перемещается вперед и назад, в то время как луч остается неподвижным.
Векторный режим подходит для быстрого структурирования отдельных элементов. Здесь система формирования изображения последовательно прочерчивает каждую линию, составляющую рисунок.
В контурном режиме столик перемещается по прямой или криволинейной траектории под неподвижным лазерным лучом.
Схема формирования рисунка
Система экспонирования |
|
Способы обработки |
Безмасочное направленное структурирование Литография в серой шкале Микроабляция Фототермическая обработка |
Длина волны экспонирования |
405 нм 266 нм опционно 325 нм и 375 нм опционно 1060 нм опционно |
Разрешение |
0,8 мкм - 8 мкм |
Автоматическая замена линз |
стандартно |
Система совмещения |
|
Совмещение сверху |
± 2 мкм (0.5 мкм с XY-интерферометром, опц.) |
Совмещение снизу (опционно) |
± 2 мкм |
Точность расположения структур |
± 0.1 мкм |
Автоматическая фокусировка лазера |
стандартно |
XY-интерферометр |
Серия LI Pro |
Пластины |
|
Размер пластины |
От 5 x 5 мм до 150 x 150 мм до 350 x 350 мм опционно |
Толщина пластины |
до 3 мм до 10 мм опционно |
Области записи |
квадратные и круглые подложки до 300 мм, в зависимости от модели |
Источник лазерного излучения |
|
Тип Лазера |
Твердотельный GaN лазер, 405 нм, 60 – 100 мВт (выбирается оператором) |
Количество источников |
Доступны дополнительные источники (опция) |
Разрешение |
до 0,8 мкм |
Габариты |
|
Высота x Ширина x Глубина |
1400 мм х 750 мм x 750 мм |
Вес |
до 140 кг (в зависимости от модели) |
Основные характеристики |
Основные достоинства |
Основные преимущества |
Узел фокусирующих линз встроен в базовую системы |
Способность выбора фокусирующей оптики под конкретные требования |
Отсутствуют дополнительные расходы |
Автоматический слайдер для фокусирующих линз, запускается нажатием мыши |
Простая и быстрая смена линз |
Оптимальная производительность Минимальный простой |
Лазер с прямой модуляцией |
Не требуется замена лазера |
Не требует обслуживания (> 10000 часов) |
Отслеживание фокуса на поверхности |
Формирование рисунка на конформной поверхности |
3D-структурирование |
Простое переключение между различными режимами записи в рамках одного процесса |
Гибкость при записи элементов и оптимизированная пропускная способность при высочайшем разрешении |
Производительность |
Оптический микроскоп высокой точности и XYZ-платформа |
Высокоточное измерение положения и расстояний |
Функции дополнительного метрологического инструмента |
Компактный размер основания Не требуются специальные подключения |
Минимальная подготовка к монтажу на объекте |
Минимальная подготовка к монтажу на объекте |