Наименование: GT35J321

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N-Channel

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 75

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 600

Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 25

Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 37

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.9

Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
Тип корпуса: 2-16F1A, TO3PF, TO247F